關(guān)于發(fā)布上海市2022年度

“探索者計劃”項目申報指南的通知

各有關(guān)單位：

為深入實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，加快建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，根據(jù)《上海市建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心“十四五”規(guī)劃》，上海市科學(xué)技術(shù)委員會特發(fā)布2022年度“探索者計劃”項目申報指南。

申報指南詳見

一 征集范圍

（一）高端醫(yī)療裝備領(lǐng)域

專題一、醫(yī)學(xué)影像裝備基礎(chǔ)材料

方向1、能譜分辨探測器用銫鉛溴單晶的新型鈣鈦礦材料

研究目標(biāo)：明確大尺寸銫鉛溴單晶生長動力學(xué)過程與缺陷調(diào)控機理，揭示器件載流子傳輸規(guī)律及其離子遷移機理，實現(xiàn)醫(yī)學(xué)X射線或伽馬射線的高靈敏度、低探測極限、高能譜分辨探測。

研究內(nèi)容：開展大尺寸銫鉛溴單晶生長與性能調(diào)控研究，解析單晶缺陷的類型、分布規(guī)律及其形成機理。開展載流子輸運與界面物理研究，探索銫鉛溴單晶暗電流抑制方案及離子遷移機理，構(gòu)建高偏壓離子移動背景下的載流子“漂移—擴散”模型，明確單晶缺陷、界面復(fù)合與離子移動極化對載流子輸運性能的影響規(guī)律。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

專題二、醫(yī)學(xué)影像前沿成像技術(shù)

方向1、新型心臟PET/MR采集與重建算法模型

研究目標(biāo)：建立自由呼吸下的三維心臟PET/MR聯(lián)合重建方法，實現(xiàn)快速、運動魯棒、精準(zhǔn)的心臟PET/MR成像。

研究內(nèi)容：研究自由呼吸下的三維快速心臟MR成像技術(shù)，開發(fā)三維心臟PET/MR聯(lián)合重建算法、運動補償下的心臟PET衰減校正及PET與MR圖像匹配等技術(shù)。系統(tǒng)評估同步PET/MR成像在心力衰竭等復(fù)雜心臟疾病鑒別診斷、治療決策及預(yù)后價值。

方向2、磁共振4D肺成像技術(shù)

研究目標(biāo)：建立自由呼吸下磁共振4D肺成像技術(shù)，實現(xiàn)高空間分辨率（不低于1.0mm各向同性）、高時間分辨率（不少于20個呼吸相）的全肺結(jié)構(gòu)成像和通氣量功能成像。

研究內(nèi)容：圍繞肺結(jié)節(jié)、肺炎等重大疾病的早期檢測需求，研究基于超短回波成像序列和4D圖像重建算法，獲得在自由呼吸下高清晰度的肺部結(jié)構(gòu)圖像和通氣量功能圖像，開展功能圖像的自動分析。

方向3、高通量X射線下半導(dǎo)體探測器中電荷輸運機制及影響

研究目標(biāo)：闡明不同物理要素對電荷輸運及探測器計數(shù)穩(wěn)定的影響機制，揭示其對CT圖像質(zhì)量的影響。

研究內(nèi)容：構(gòu)建高通量X射線下三維電荷輸運定量模型，并對模型的有效性、準(zhǔn)確性進行實驗驗證。研究半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)、缺陷構(gòu)成等物理要素對探測器計數(shù)穩(wěn)定性和光子計數(shù)CT成像質(zhì)量的影響。

專題三、醫(yī)學(xué)影像應(yīng)用基礎(chǔ)研究

方向1、基于核素心肌灌注顯像的非阻塞性冠脈疾病分子影像學(xué)預(yù)后監(jiān)測模型

研究目標(biāo)：建立非阻塞性冠脈疾病的核素分子影像學(xué)預(yù)后監(jiān)測模型，精準(zhǔn)疾病風(fēng)險分層。

研究內(nèi)容：研究非阻塞性冠脈疾病MPI圖像分割、識別及特征提取中的新算法，聯(lián)合相位分析技術(shù)自動獲取相位帶寬、相位標(biāo)準(zhǔn)差及相位熵，篩選核醫(yī)學(xué)影像預(yù)后標(biāo)志物，實現(xiàn)心肌血流量及冠脈血流儲備指導(dǎo)下的非阻塞性冠脈疾病的核輔助精準(zhǔn)預(yù)測及臨床應(yīng)用驗證。

方向2、狹窄、閉塞性心腦血管疾病新型影像學(xué)標(biāo)志物研究

研究目標(biāo)：獲得心腦血管狹窄與閉塞性病變的新型影像標(biāo)志物，提升心腦血管疾病的精準(zhǔn)診療。

研究內(nèi)容：探究磁共振及CT等的心腦血管狹窄、閉塞性的影像學(xué)特征變化規(guī)律及機制，研究篩選可用于指導(dǎo)臨床的新型影像學(xué)標(biāo)志物，解析狹窄、閉塞性心腦血管疾病的病程與分期，實現(xiàn)冠脈及腦血管的精確成像。

方向3、腫瘤微環(huán)境的動態(tài)可視化研究及其在腫瘤免疫治療中的應(yīng)用

研究目標(biāo)：建立可用于乳腺癌免疫治療監(jiān)測、評估的微環(huán)境動態(tài)可視化方法，提高乳腺癌免疫治療效果。

研究內(nèi)容：融合腫瘤靶向分子、熒光蛋白等，構(gòu)建可用于磁共振等的多模態(tài)成像分子探針，在亞細(xì)胞、細(xì)胞和組織等水平，研究建立乳腺癌微環(huán)境的動態(tài)可視化新技術(shù)與新方法（空間分辨率優(yōu)于500μm），實現(xiàn)與免疫治療相關(guān)微環(huán)境（≥2種標(biāo)志物或參數(shù)）的動態(tài)可視化監(jiān)測、評估。

方向4、基于磁共振技術(shù)的復(fù)雜先心病形態(tài)學(xué)及血液動力學(xué)研究

研究目標(biāo)：建立復(fù)雜先心病的形態(tài)學(xué)及血液動力學(xué)評估手段及模型，揭示其與心臟功能變化間的關(guān)聯(lián)機制。

研究內(nèi)容：研究復(fù)雜先心病的三維動態(tài)磁共振成像新算法，獲得心臟結(jié)構(gòu)影像及血流速度、流量率等血液動力學(xué)參數(shù)（成像序列1.2mm分辨率，視野范圍350mm，掃描時間810分鐘），實現(xiàn)自由呼吸狀態(tài)下形成圖像。構(gòu)建多種復(fù)雜先心病的疾病譜綜合模型，篩選相關(guān)的影像學(xué)生物標(biāo)記，并開展與心臟功能變化相關(guān)的機制研究。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

方向5、腦膠質(zhì)腫瘤患者腦功能重塑預(yù)測及驗證

研究目標(biāo)：揭示腦腫瘤患者行為與功能變化的大腦重塑的影像學(xué)關(guān)聯(lián)，建立術(shù)前術(shù)后患者腦功能改變的預(yù)測模型，為腦膠質(zhì)瘤患者治療后康復(fù)及綜合治療提供依據(jù)。

研究內(nèi)容：基于多模態(tài)功能磁共振成像、神經(jīng)導(dǎo)航、個體化腦功能區(qū)識別等技術(shù)，實現(xiàn)圖像融合三維可視化，確立腦膠質(zhì)瘤患者基于種子點的功能連接，闡明腦腫瘤患者行為與功能變化的大腦重塑的影像學(xué)關(guān)聯(lián)，建立治療前后腦功能改變的預(yù)測模型，并進行數(shù)據(jù)集驗證。

（二）集成電路領(lǐng)域

專題四、集成電路前瞻性研究

方向1、超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)TCAD仿真工具研究

研究目標(biāo)：建立超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)可視化交互TCAD仿真軟件平臺，支持超導(dǎo)集成電路約瑟夫森結(jié)性能的仿真分析，仿真的約瑟夫森結(jié)臨界電流密度跟實測相比誤差在10%以內(nèi)，為解決量子退火芯片中量子比特設(shè)計和工藝協(xié)同優(yōu)化問題奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

研究內(nèi)容：全面分析量子退火芯片核心器件——Nb基約瑟夫森結(jié)的物理機制，開發(fā)基于NEGF 的量子輸運方法TCAD仿真軟件，支持按工藝、材料需求進行三維器件結(jié)構(gòu)建模，包含約瑟夫森結(jié)界面工藝到器件結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性能的分析仿真。

執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向2、GAAFET器件DTCO仿真分析關(guān)鍵技術(shù)研究

研究目標(biāo)：配合產(chǎn)業(yè)界基于較成熟的先進技術(shù)節(jié)點，提出環(huán)柵場效應(yīng)管（GAAFET）器件的工藝流程方案并通過設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO），建立合理的設(shè)計規(guī)則，實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化和單元電路性能提升。

研究內(nèi)容：基于先進工藝建立GAAFET DTCO的PPA分析等全流程仿真分析方法，優(yōu)化設(shè)計規(guī)則和器件結(jié)構(gòu)，構(gòu)建GAAFET器件緊湊物理模型，開展典型單元電路的仿真分析，評估整體技術(shù)方案的可行性。

方向3、應(yīng)用于先進CMOS外延工藝的RHEED定量表征方法研究及軟/硬件系統(tǒng)實現(xiàn)

研究目標(biāo)：針對未來先進工藝中在線實時監(jiān)測半導(dǎo)體外延薄膜的需要，進一步發(fā)展反射式高能電子衍射（RHEED）技術(shù)，實現(xiàn)全晶圓粗糙度、晶格常數(shù)、缺陷等參數(shù)的數(shù)據(jù)收集，表面粗糙度量測精度≤0.02nm，并完成對比測試和工藝驗證及評估。

研究內(nèi)容：基于RHEED技術(shù)開發(fā)高質(zhì)量半導(dǎo)體外延薄膜量測系統(tǒng)，構(gòu)建基于RHEED技術(shù)定量表征半導(dǎo)體薄膜粗糙度的模型，發(fā)展半導(dǎo)體薄膜粗糙度定量表征方法，拓展RHEED定位表征薄膜缺陷的方法，并應(yīng)用于FinFET/GAAFET器件核心外延工藝薄膜的表面粗糙度量測技術(shù)并實現(xiàn)相關(guān)量測應(yīng)用。

方向4、14nm FinFET及以下節(jié)點工藝Litho、SiGe等核心工藝監(jiān)測的研究

研究目標(biāo)：創(chuàng)新14nm FinFET及以下工藝節(jié)點光刻（Litho）、鍺硅外延（SiGe）核心工藝監(jiān)測的新方法，開發(fā)設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)單元庫對14nm及以下工藝節(jié)點的Litho、SiGe進行有效監(jiān)測，助力縮短研發(fā)周期。

研究內(nèi)容：研究14nm FinFET及以下工藝節(jié)點的Litho、SiGe等關(guān)鍵工藝對產(chǎn)品設(shè)計及其布圖（Layout）產(chǎn)生關(guān)鍵影響的機理及特性。整合Layout設(shè)計與工藝，構(gòu)建14nm及以下工藝節(jié)點的標(biāo)準(zhǔn)單元庫和核心工藝監(jiān)測評估方法，改善優(yōu)化Litho、SiGe等在研發(fā)上量階段的工藝。

方向5、FinFET工藝寄生效應(yīng)的精準(zhǔn)表征、建模及測試版圖自動生成工具研究開發(fā)

研究目標(biāo)：揭示FinFET器件本征及中后段工藝寄生特性引入機制，實現(xiàn)精準(zhǔn)的寄生效應(yīng)在片測試技術(shù)并應(yīng)用于RC精準(zhǔn)建模，開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相關(guān)版圖自動生成工具。

研究內(nèi)容：研究FinFET器件三維結(jié)構(gòu)特有的本征及中后段工藝寄生引入機制、獨有結(jié)構(gòu)寄生電容的精準(zhǔn)拆分、計算及電磁仿真擬合，探索極微小電容的可集成在片測試電路并應(yīng)用于FinFET先進工藝建模。研發(fā)適用于該工藝的RC測試結(jié)構(gòu)版圖自動生成工具，生成一套適用于中后道RC參數(shù)提取的測試結(jié)構(gòu)版圖，進行流片驗證、測試、參數(shù)提取，并建立RC參數(shù)模型。

專題五、毫米波和太赫茲技術(shù)

方向1、適用于相干太赫茲通信的全模擬硅基集成接收機的研究

研究目標(biāo)：研究相干太赫茲通信全模擬硅基集成接收機，在載波頻率300GHz實現(xiàn)單通道面積≤1mm2、功耗150mW、帶寬≥3GHz的支持QAM正交調(diào)制的相控接收機設(shè)計。

研究內(nèi)容：基于克拉莫克若尼關(guān)系的太赫茲接收機，研究簡潔高效的集成全模擬太赫茲接收機電路設(shè)計，優(yōu)化相干接收機整體的功耗與電路復(fù)雜度，替代傳統(tǒng)通信正交解調(diào)手段實現(xiàn)相位及振幅信息的解析。

方向2、基于傳輸線理論的片上集成互連結(jié)構(gòu)與元件模型和建模方法

研究目標(biāo)：革新射頻芯片（RFIC）原理圖和版圖設(shè)計流程，實現(xiàn)基于硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設(shè)計，可兼容國產(chǎn)射頻集成電路仿真器以及PDK環(huán)境應(yīng)用，為基于國產(chǎn)化EDA工具平臺發(fā)展高效率RFIC設(shè)計建立基礎(chǔ)。

研究內(nèi)容：研究基于傳輸線理論的片上集成微帶線、傳輸線等互連結(jié)構(gòu)、元件模型和建模方法，優(yōu)化RFIC原理圖和版圖設(shè)計流程，完善無源互連結(jié)構(gòu)從器件設(shè)計到測量及模型庫開發(fā)流程，完成基于Si基片上傳輸線解析建模的RFIC設(shè)計。

專題六、功率器件研究

方向1、基于DTCO技術(shù)的車規(guī)級智能功率MOSFET全集成研究

研究目標(biāo)：采用設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO）技術(shù)實現(xiàn)功率MOSFET與控制電路的單芯片全集成及協(xié)同設(shè)計。建立控制邏輯器件、功率MOSFET模型及PDK（誤差10%以內(nèi)），并實現(xiàn)集成控制邏輯電路的功率MOSFET設(shè)計及性能驗證，探索解決低開關(guān)速率下由于安全工作區(qū)SOA超界而損壞功率MOSFET問題。

研究內(nèi)容：研究并改進功率MOSFET工藝技術(shù)，提出兼容功率MOSFET及控制電路的工藝制備技術(shù)路線，滿足功率MOSFET和控制電路單芯片全集成。研究并提出面向功率MOSFET的DTCO設(shè)計方法，實現(xiàn)工藝、器件、電路及功率MOSFET協(xié)同優(yōu)化設(shè)計。

二 申報要求

除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：

1

項目申報單位應(yīng)當(dāng)是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應(yīng)能力。

2

研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財政資金支持的，不得重復(fù)申報。

3

所有申報單位和項目參與人應(yīng)遵守科研倫理準(zhǔn)則，遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實驗室生物安全管理相關(guān)規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項目負(fù)責(zé)人應(yīng)承諾所提交材料真實性，申報單位應(yīng)當(dāng)對申請人的申請資格負(fù)責(zé)，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項目申請。

4

申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。

5

已作為項目負(fù)責(zé)人承擔(dān)市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負(fù)責(zé)人申報。

6

項目經(jīng)費預(yù)算編制應(yīng)當(dāng)真實、合理，符合市科委科技計劃項目經(jīng)費管理的有關(guān)要求。

7

各研究方向同一單位限報1項。

8

申請人在申請前應(yīng)向聯(lián)合資助方了解相關(guān)項目的需求背景和要求。高端醫(yī)療裝備領(lǐng)域（專題1專題3），請聯(lián)系康女士，聯(lián)系電話；集成電路領(lǐng)域（專題4專題6），請聯(lián)系任先生，聯(lián)系電話。

9

申請項目評審?fù)ㄟ^后，申請人及所在單位將收到簽訂“探索者計劃資助項目協(xié)議書”的通知。申請人接到通知后，應(yīng)當(dāng)及時與聯(lián)合資助方聯(lián)系，在通知規(guī)定的時間內(nèi)完成協(xié)議書簽訂工作。

三 申報方式

1

項目申報采用網(wǎng)上申報方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國上海”門戶網(wǎng)站（http://ww）政務(wù)服務(wù)點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：

【初次填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入“一網(wǎng)通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進入申報指南頁面，點擊相應(yīng)的指南專題，進行項目申報；

【繼續(xù)填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄后，繼續(xù)該項目的填報。

有關(guān)操作可參閱在線幫助。

2

項目網(wǎng)上填報起始時間為2022年8月17日9:00，截止時間（含申報單位網(wǎng)上審核提交）為2022年9月5日16:30。

四 評審方式

采用第一輪通訊評審、第二輪見面會評審方式。

五 立項公示

上海市科委將向社會公示擬立項項目清單，接受公眾異議。

六 咨詢電話

02112345

8008205114（座機）

（手機）

上海市科學(xué)技術(shù)委員會

2022年8月9日